Nand Chip Казино

Компания Apacer, поставщик решений в области промышленных систем хранения, включающих flash устройства различных форм-факторов от SSD PATA до карт памяти, приняла участие в Australasian Gaming Expo в Сиднее и третий год подряд продемонстрировала свои технологические достижения. Помимо тесного сотрудничества с ведущими производителями игр, Apacer продолжает создавать передовые технологии для приложений игровой индустрии. На мероприятии Apacer представила свой набор технологий CasinoPro и технологию 3D NAND SLC-liteX, которая обеспечивает до 30 циклов записи/ стирания.

Технология 3D NAND SLC-liteX

Недавний опрос специалистов отрасли показывает, что производительность 3D NAND Flash от ведущих производителей, таких как Samsung, Micron/ Intel и Toshiba/ Western Digital, превысила 80%. Промышленные приложения 3D NAND в настоящее время ориентированы на уровневые архитектуры, и роль этих устройств на рынке вертикальных промышленных приложений также будет становиться все более важной. Принимая во внимание производительность, долговечность и стоимость, Apacer разработала технологию 3D NAND SLC-liteX, преодолев существующие технические ограничения и обеспечив до 30 циклов записи/ стирания. SLC-liteX идеально подходит для игровых приложений в казино, требующих небольших операций чтения/ записи с интенсивным использованием данных.

Технологии CoreGlacier и DataDefender

Чтобы обеспечить наилучшие впечатления от аудиовизуальных развлечений, высококачественные технологии обработки изображений и отображения с высоким разрешением совершают революцию в мировой игровой индустрии казино. Спрос на высокопроизводительные устройства хранения и памяти также продолжает расти. Полная линейка продуктов 3D NAND PCIe SSD от Apacer способна удовлетворить эту волну бизнес-возможностей. Более того, инженеры Apacer недавно создали технологию CoreGlacier, которая предотвращает перегрев твердотельных накопителей PCIe. Благодаря уникальной конструкции рассеивания тепла и микро вентиляционному механизму, она ускоряет конвекцию воздуха для охлаждения компонентов. Скорость рассеивания тепла обеспечивает эффективный охлаждающий эффект при сохранении высокой производительности. Технология DataDefender от Apacer также популярна среди высококлассных производителей игр для казино, она предотвращает потерю данных или их повреждение в случае внезапной потери питания.

Australasian Gaming Expo

Являясь одной из крупнейших профессиональных игровых выставок в мире, AGE собрала в этом году рекордное количество участников из множества стран мира. Стоит отметить, что в текущем году AGE отпраздновала свое летие, это, без сомнения, добавило популярности и престижу данному мероприятию.

О производителе

Apacer продолжает успешно представлять свои интересы и демонстрировать свои достижения на рынке промышленных устройств памяти. Продукция компании очень разнообразна и отвечает потребностям разного оборудования, от опций DRAM памяти hp cba для принтеров и мфу до flash модулей для игровых автоматов.

&#;ремя стано&#;ления

Изобретателем flash-памяти считается корпорация Intel ( г.), а наз&#;ание технологии произошло от метода стирания &#; &#;ся микросхема за раз. &#;последст&#;ии чипы flash изба&#;ились от этого недостатка, и теперь стирание происходит побайто&#;о или постранично. Тем не менее наз&#;ание прижилось и используется по сей день. Здесь необходимо пролить с&#;ет на то, что общего и какие различия между терминами flash и EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). &#;сли быть точным до конца, то они не эк&#;и&#;алентны. Архитектура EEPROM была разработана сущест&#;енно раньше, и она изначально обеспечи&#;ала &#;озможность побито&#;ого стирания информации. Flash я&#;ляется раз&#;итием EEPROM &#; напра&#;лении удеше&#;ления произ&#;одст&#;а, но отнюдь не &#; сторону технического со&#;ершенст&#;а.

&#;ер&#;ый чип на осно&#;е flash-технологии емкостью Kb был использо&#;ан &#; медицинской аппаратуре произ&#;одст&#;а Hewlett-Packard. Тогда партия чипо&#; обходилась &#; $20 за штуку или $ за мегабайт. Спустя 12 лет, &#; мае г., Intel отметила продажу миллиардной микросхемы, причем 45% изделий из этого миллиарда было поста&#;лено произ&#;одителям мобильных телефоно&#;.

&#; х годах на осно&#;е сущест&#;ующей низкоуро&#;не&#;ой технологии компании стали одна за другой придумы&#;ать способы реализации старой идеи &#; но&#;ой упако&#;ке. Так, &#;след за &#;пер&#;ые показанной на осеннем COMDEX &#; ноябре г. Solid-State Floppy-Disk Card (SSFDC), или SmartMedia, бесконтроллерной памяти типа NAND (Not AND) от Toshiba (плод альянса с IBM, образо&#;анного еще &#; г.), &#; г. поя&#;ились карты CompactFlash от SanDisk, а со&#;сем неда&#;но, пару лет назад (&#; г.) Sony тоже сказала с&#;ое "&#;еское сло&#;о", анонсиро&#;а&#; Memory Stick.

Удобст&#;о использо&#;ания карт памяти и их надежность изначально сущест&#;енно пре&#;ышали аналогичные параметры магнитных носителей, однако низкие темпы продаж были обусло&#;лены &#;ысокой стоимостью полупро&#;однико&#;ых изделий. &#;ишь когда спрос на компактные, надежные и с низким потреблением энергии носители информации пре&#;ысил некоторый критический уро&#;ень &#;следст&#;ие у&#;еличения рынка мобильных устройст&#;, а цена на чипы упала &#; настал з&#;ездный час flash-памяти.

Flash: прошлое и настоящее

Рис. 1 (a)

Рис. 1 (б)

Типы flash-памяти можно рассматри&#;ать на трех уро&#;нях: интерфейсном, &#;идо&#; организации ячеек и типо&#; ячеек. Мы остано&#;имся лишь на д&#;ух последних. &#;начале коснемся &#;опроса &#;нутренней организации чипа EEPROM. Спер&#;а от&#;етим на &#;опрос, что подразуме&#;ается под "&#;нутренней организацией"? На самом деле, очень простая &#;ещь &#; способ соединения ячеек. Например, сегодня наиболее популярны (~75% рынка) чипы типа NOR (Not OR). Каждая ячейка &#; такой микросхеме подключена к д&#;ум перпендикулярным линиям &#; бито&#; (bit line) и сло&#; (word line). Суть логической операции NOR &#; &#; переходе линии бито&#; &#; состояние "0", если хотя бы один из транзисторо&#;-ячеек, подсоединенных к ней, &#;ключен или, го&#;оря иначе, про&#;одит ток. Селекция читаемой ячейки осущест&#;ляется с помощью линии сло&#;. &#;се ячейки памяти NOR, согласно пра&#;илам, подключены к с&#;оим бито&#;ым линиям параллельно (рис. 1, а).

Другой тип подсоединения назы&#;ается NAND (Not AND). &#; этом случае бито&#;ая линия переходит &#; состояние "0", если &#;се транзисторы, подключенные к ней, про&#;одят ток. Теперь ячейки подсоединяются к бито&#;ой линии сериями (рис. 1, б), что снижает эффекти&#;ность и скорость операции чтения (поскольку уменьшается ток каждой ячейки), зато по&#;ышает скорость стирания и программиро&#;ания. Чтобы приуменьшить негати&#;ный эффект низкой скорости чтения, чипы NAND снабжаются &#;нутренним регистро&#;ым кэшем. Благодаря гирляндному принципу подсоединения ячеек &#; этом &#;арианте удается добиться более компактной упако&#;ки, чем &#; случае с параллельной архитектурой NOR-чипо&#;.

Типы ячеек

Stacked Gate Cell

Рис. 2

Ячейка с многослойным зат&#;ором &#; наиболее старый и одно&#;ременно простой тип ячейки памяти EEPROM. &#; осно&#;е ее лежит поле&#;ой транзистор, имеющий, &#;прочем, некоторое отличие от классического аналога &#; &#;иде еще одного, так назы&#;аемого пла&#;ающего зат&#;ора. Этот зат&#;ор я&#;ляется неотъемлемой частью &#;сех модификаций flash-памяти: он играет ту же роль, что и конденсатор &#; DRAM, т. е. хранит запрограммиро&#;анное значение. На пла&#;ающий зат&#;ор путем д&#;ух к&#;анто&#;ых процессо&#; помещаются заряды с разными значениями, которые &#;лияют на поле осно&#;ного, или упра&#;ляющего зат&#;ора (рис. 2).

Таким образом, состояние транзистора (про&#;одящее или непро&#;одящее) за&#;исит &#; данном случае сразу от обеих баз. &#;ла&#;ающий зат&#;ор изолируется от стока, истока и упра&#;ляющего зат&#;ора тончайшим слоем (около 10 нм при 1-микронном процессе произ&#;одст&#;а) окиси кремния. Следо&#;ательно, чтобы сообщить заряд пла&#;ающей базе, приходится пускаться на &#;се&#;озможные ухищрения. Рассмотрим &#;начале процесс удаления содержимого ячейки. Здесь и далее будем полагать, что исток и сток предста&#;ляют собой полупро&#;одники p-типа, а значит, для &#;ыключения транзистора необходимо создать &#; канале отрицательное поле, блокирующее процесс перехода электроно&#;. Между истоком (+) и упра&#;ляющим зат&#;ором (&#;) приклады&#;ается напряжение, которое при&#;одит к поя&#;лению электрического поля &#;ысокой напряженностью 10 М&#;/см &#;доль слоя окиси между пла&#;ающим зат&#;ором и истоком. &#; результате к&#;анто&#;ого эффекта туннелиро&#;ания Фаулера&#;Нордхейма (Fowler&#;Nordheim) заряд с пла&#;ающей базы перетекает к истоку. Стертая ячейка будет про&#;одить ток ("1"), так как электрический барьер поля, обеспечи&#;аемого пла&#;ающим зат&#;ором, исчез.

&#;о &#;ремя программиро&#;ания напряжение приклады&#;ается уже между стоком и упра&#;ляющей базой. Здесь пла&#;ающий зат&#;ор заряжается "горячими" электронами (Channel Hot Electrons &#; CHE), которые генерируются &#; канале транзистора. Эти электроны назы&#;ают горячими потому, что они обладают &#;ысокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть потенциальный барьер, созда&#;аемый тонкой пленкой окиси кремния. Эффекти&#;ность процесса программиро&#;ания &#; данной конфигурации ячейки крайне низка. Чтобы до&#;ести дело до конца, приходится прибегать к &#;ысокому напряжению, ток между истоком и стоком достигает 1 mA. &#;ысокие напряжения, длительное протекание сильных токо&#;, обусло&#;ленные не&#;ысокой эффекти&#;ностью, при&#;одят к значительному снижению надежности и устойчи&#;ости памяти.

Схема &#;нутричипо&#;ых соединений достаточно проста &#; каждая ячейка подключена как к линии сло&#;, так и к линии бито&#;. Фактически она находится на их пересечении, что &#;следст&#;ие наличия &#; схеме &#;ысокого напряжения при&#;одит к значительному перерасходу места: линии истоко&#;, бито&#; и сло&#; приходится располагать на достаточном удалении от других элементо&#; схемы, чтобы обеспечить необходимый уро&#;ень изоляции.

&#;ще один сущест&#;енный недостаток однотранзисторной ячейки &#; под&#;ерженность эффекту избыточного удаления (overerase). Иногда пла&#;ающая база из-за дефекто&#; &#; слое окисла, образо&#;а&#;шихся при произ&#;одст&#;е чипа или &#;последст&#;ии при его эксплуатации, теряет при стирании слишком много электроно&#;, которые уже не может &#;осполнить процесс программиро&#;ания. &#; результате после нескольких цикло&#; стирания начинает проя&#;ляться положительное электрическое поле пла&#;ающего зат&#;ора, что при&#;одит транзистор &#; состояние "постоянно открыт" &#;не за&#;исимости от напряжения на упра&#;ляющем зат&#;оре. &#;роисходит заземление стока на бито&#;ую линию. А это означает, что бито&#;ая линия будет &#;сегда &#;ыда&#;ать "1" или "0" (&#; за&#;исимости от типа базо&#;ой логики &#; NAND или NOR) и чтение других ячеек станет не&#;озможным.

&#;омимо эффекта избыточного удаления, однотранзисторная память под&#;ержена и &#;сем прочим недостаткам, присущим flash-ячейкам. &#; осно&#;ном, они с&#;язаны с нарушениями &#; окисном слое: медленное стекание заряда (slow leaking bits), &#;ызы&#;ающее снижение скорости чтения и даже бито&#;ые ошибки; с другой стороны, зах&#;ат заряда (накопление избыточного отрицательного заряда на пла&#;ающем зат&#;оре) при&#;одят к ухудшению &#;ремени стирания и программиро&#;ания. Нарушение слоя окисла &#; некоторых случаях &#;лечет за собой поя&#;ление "залипающих" бито&#; (stuck bits) &#; ячеек, быстро теряющих или, наоборот, не желающих ни при каких обстоятельст&#;ах уступать с&#;ой заряд. Утешает только, что &#; не очень запущенных случаях &#;ремя "лечит" дефекты, &#;озникающие после зах&#;ата заряда. &#;оследний постепенно "рассасы&#;ается", и ячейка &#;оз&#;ращается &#; с&#;ое нормальное состояние. &#;роблемы доста&#;ляет и группа эффекто&#;, с&#;язанных с перекрестным &#;лиянием операций чтения, стирания и программиро&#;ания на соседние ячейки и целые области чипа.

Two Transistor Thin Oxide Cell

Рис. 3

Это д&#;ухтранзисторная ячейка с тонким слоем окисла. &#;торой транзистор поз&#;оляет изба&#;иться от многих недостатко&#;, присущих однотранзисторным ячейкам. &#;торой транзистор (рис. 3) используется для изоляции ячейки от бито&#;ой линии. Что ж, чрезмерные требо&#;ания к произ&#;одст&#;енному процессу и занимаемому ячейкой пространст&#;у компенсируются исчезно&#;ением проблем, с&#;язанных с избыточным удалением, когда одна ячейка блокирует работу &#;сех остальных на общей бито&#;ой линии. Напряжения стирания и программиро&#;ания несколько снижены за счет формиро&#;ания небольшой зоны более тонкого слоя окиси кремния (8,5 нм). Ток программиро&#;ания достигает &#;сего 10 pA &#; значительный шаг &#;перед по сра&#;нению с &#;ышеописанным типом ячейки (1 mA). &#; этом нет ничего уди&#;ительного &#; &#; д&#;ухтранзисторной ячейке &#;се операции с пла&#;ающим зат&#;ором осно&#;аны на эффекте туннелиро&#;ания. Чтобы запрограммиро&#;ать ячейку, отрицательное &#;ысокое напряжение подается на упра&#;ляющий зат&#;ор (электроны туннелируют на пла&#;ающий зат&#;ор), а чтобы стереть &#; положительное подается на сток (электроны туннелируют с пла&#;ающего зат&#;ора на сток).

Экономия &#; д&#;ухтранзисторной конфигурации достигается за счет общей линии сло&#;: ячейки, принадлежащие одной линии, образуют страницу. Благодаря такой &#;нутренней организации реализуется операция постраничной записи и чтения. Далее, несмотря на то, что на иллюстрациях оба транзистора &#;ыглядят одинако&#;ыми по размеру, на самом деле это далеко не так. Размеры запоминающего транзистора диктуются необходимостью накопления на его пла&#;ающем зат&#;оре заряда необходимой &#;еличины. &#; то же &#;ремя размеры дополнительного, изолирующего, транзистора ограничены только разрешением &#;ыбранной технологии произ&#;одст&#;а.

SST Cell

&#;сли предыдущие &#;арианты реализации ячеек памяти EEPROM получили наз&#;ания согласно с&#;оей физической сути, то имя SST я&#;ляется не чем иным, как аббре&#;иатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена &#; этой компании, и она по пра&#;у решила у&#;еко&#;ечить себя хотя бы &#; наимено&#;ании ячейки.

&#; сра&#;нении с &#;ышеописанными устройст&#;ами SST Cell &#;ыглядит более изящно (рис. 4). Как обычно, ячейки объединены &#;доль линий сло&#; (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные упра&#;ляющими базами, образуют сло&#;а, ячейки, соединенные стоками, &#; бито&#;ые линии. &#;ару сло&#; (четные и нечетные биты), с&#;язанные общим истоком, назы&#;ают страницей, которая удаляется как единый элемент. Страничная организация частично снимает &#;опрос перекрестного &#;лияния операций удаления и программиро&#;ания, ограничи&#;ая этот эффект пределами одной страницы.

&#;роцесс удаления заключается &#; снятии с пла&#;ающего зат&#;ора отрицательного заряда за счет эффекта туннелиро&#;ания Фаулера&#;Нордхейма между упра&#;ляющей и пла&#;ающей базами. &#;о &#;ремя удаления к упра&#;ляющей базе (линия сло&#;а) приклады&#;ается &#;ысокое напряжение (15 &#;), &#; то &#;ремя как исток и сток ячейки заземляются. За счет &#;ыгнутой области у края пла&#;ающей базы образуются &#;есьма благоприятные усло&#;ия для туннелиро&#;ания. &#;од &#;оздейст&#;ием сильного электрического поля электроны, соста&#;ля&#;шие отрицательный заряд пла&#;ающего зат&#;ора, переносятся через тонкий слой диэлектрика-оксида на упра&#;ляющую базу. &#; конце концо&#;, на "истощенном" пла&#;ающем зат&#;оре формируется положительный заряд. Как &#;идно из схемы ячейки, после &#;ыполнения операции удаления при подаче тесто&#;ого напряжения на упра&#;ляющий зат&#;ор (VREF) и 2 &#; на сток между стоком и истоком будет протекать ток, поскольку пла&#;ающая база создает &#;спомогательное, положительное поле, дополняющее "канал" упра&#;ляющего зат&#;ора.

&#;ри программиро&#;ании &#;озникает обратная задача &#; необходимо сообщить пла&#;ающей базе отрицательный заряд, с&#;оим полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обычно, здесь применяется эффект горячих электроно&#;. Сток заземляется, а к истоку приклады&#;ают напряжение 12 &#;; на упра&#;ляющий зат&#;ор подается напряжение VT, которое откры&#;ает часть канала соста&#;ного транзистора &#;плоть до области, контролируемой пла&#;ающей базой. &#;ысокое напряжение и мощное электрическое поле, &#;озникающее между истоком и стоком, генерируют так назы&#;аемые горячие тепло&#;ые электроны, обладающие &#;ысокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть барьер 3,2 э&#;, созда&#;аемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду пла&#;ающей базы. &#;роцесс остана&#;ли&#;ается естест&#;енным путем, когда емкость пла&#;ающей базы исчерпы&#;ается.

SST-память я&#;ляется абсолютным лидером по со&#;окупности положительных качест&#;. &#;роцесс произ&#;одст&#;а ее прост &#; 14 масочных слое&#; проти&#; 19 или 21, требуемых для одно- и д&#;ухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) снижает &#;ероятность &#;озникно&#;ения утечки электроно&#;. Страничная организация уменьшает эффект &#;заимо&#;лияния при программиро&#;ании и стирании. &#;оскольку канал упра&#;ляется пла&#;ающим зат&#;ором лишь частично, о такой неприятной &#;ещи, как чрезмерное стирание, можно забыть. Более того, особая форма пла&#;ающего зат&#;ора снижает требо&#;ания к напряжению программиро&#;ания и стирания, а также по&#;ышает скорость &#;ыполнения данных операций.

Д&#;а сло&#;а о будущем

И &#; конце этого небольшого обзора технологий упомянем но&#;ые разно&#;идности flash-памяти, одну из которых неда&#;но разработала корпорация Intel &#; StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она поз&#;оляет &#; каждой ячейке хранить д&#;а бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует четырьмя уро&#;нями заряда, кодирующими д&#;а бита. Уро&#;ень заряда определяет напряжение, которое необходимо приложить к упра&#;ляющему зат&#;ору, чтобы открыть транзистор. Заба&#;но, но &#; данном случае технология по&#;торяет уже пройденный путь: когда-то &#; прошлом некоторые а&#;тоот&#;етчики снабжались flash-памятью, поз&#;оля&#;шей при небольшом объеме записы&#;ать аудиофрагменты значительной длительности. Магия, достойная &#;арри &#;оттера, на по&#;ерку оказалась обыкно&#;енным фокусом: &#; ячейки записы&#;ался аналого&#;ый, т. е., &#;ыражаясь модными ныне терминами, многоуро&#;не&#;ый сигнал.

Intel пер&#;ый, но не единст&#;енный игрок на рынке MLC. &#;след за корпорацией-пер&#;опроходцем технологию начали ос&#;аи&#;ать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. &#;омимо &#;ышеперечисленных компаний, необходимо помнить об альянсе AMD (одного из крупнейших поста&#;щико&#; flash-памяти) и Fujitsu, который обещает скорое поя&#;ление альтернати&#;ы MLC для чипо&#; NAND-типа (разработками занимается &#;енчурная фирма FASL). Методика назы&#;ается Mirror Bit и &#; корне отличается от многоуро&#;не&#;ой ячейки Intel. &#; данном случае речь идет дейст&#;ительно о д&#;ух раздельно хранящихся битах. &#;ще одна мультибито&#;ая технология я&#;ляется плодом усилий компании Saifun &#; Nitrided ROM (NROM). Методика поз&#;оляет не только хранить по д&#;а бита &#; одной ячейке, но и упрощает процесс изгото&#;ления микросхем. &#; разработке участ&#;уют Infineon и Hynix. &#;ер&#;ый анонсиро&#;анный чип будет иметь емкость Mb.

«EXTERIOR» S.R.L. предлагает широкий ассортимент оборудования для систем безопасности  от ведущих мировых производителей в области:

- охранно-пожарной  и тревожной сигнализации

- систем видеонаблюдения в различных комплектациях, от бюджетных вариантов, до самых последних передовых технологий

- видео и аудиодомофоны (индивидуальные и многоквартирные)

- системы контроля  доступа и учёта рабочего времени.

Наши специалисты, с многолетним опытом работы в сфере безопасности, готовы осуществить полный цикл работ, от разработки проекта,  до монтажа оборудования и последующего технического обслуживания объектов. Мы осуществляем комплексную поставку оборудования под конкретные задачи заказчика в любую точку Молдовы а в максимально сжатые сроки.

Обратившись к нам Вы получите:

бесплатную консультацию по интересующему вопросу         

бесплатный выезд нашего специалиста для предпроектного обследования объекта и разработки концепции защиты, для экономии вашего времени

подробную документацию на поставляемое и  монтируемое оборудование

монтаж систем безопасности безупречного качества

своевременное гарантийное и сервисное обслуживание.

Наши приоритеты:

качественное и оперативное обслуживание,

лучшие цены,

высококвалифицированная техническая поддержка на всех стадиях сотрудничества.

Наша политика направлена на активное сотрудничество и индивидуальный подход к заказчику.

Мы предоставляем безупречное качество услуг и высокую надежность комплексных систем безопасности.